東芝近日公布聚焦能(néng)源、社會(huì)基礎設施、半導體存儲業務領域，擴大在存儲業務上的投資。爲擴大3D閃存“BiCS FLASH TM”的生(shēng)産，東芝在毗鄰日本四日市工廠（三重縣四日市市）的區域建造新廠房以及引進生(shēng)産設備的投資方案已獲得(dé / de / děi)董事(shì)會(huì)批準。

閃存廣泛應用(yòng)于(yú)智能(néng)手機等産品，根據預測，以企業服務器和數據中心爲主的需求今後(hòu)也将不斷擴大。東芝四日市工廠将進行(háng / xíng)改造以便于(yú)在3D閃存“BiCS FLASH TM”的生(shēng)産中，能(néng)夠高效利用(yòng)與2D閃存通用(yòng)的現有制造工序。在四日市工廠，東芝正在建設全新的第二廠房作爲3D閃存專用(yòng)工序的廠房（預定2016财年(nián)上半期整體竣工），此外，爲滿足未來的需求增長，除了目前在建的第二廠房以外，還需要(yào / yāo)新建3D閃存專用(yòng)的生(shēng)産廠房。

新廠房建造方案以及引進生(shēng)産設備的投資方案已經獲得(dé / de / děi)批準。從2016财年(nián)開始的三年(nián)内，預計上述規劃所(suǒ)需的投資将達到3,600億日元左右。關于(yú)施工時間、産能(néng)、生(shēng)産設備投資等的具體計劃，東芝将根據市場動向，在2016财年(nián)内作出決定。

今後(hòu)東芝與美國閃迪公司将繼續展開共同投資的協商。

東芝未來把半導體存儲定位于(yú)主打業務之一，通過(guò)增加投資等措施，不斷提升業務的市場競争力。作爲日本最大的半導體制造商，東芝一直緻力于(yú)半導體各個領域的技術創新，3D閃存通過(guò)增加存儲疊層，進一步拓展了閃存技術的發(fā／fà)展空間，是未來存儲器市場的主流。

此次新廠房的建立，也是東芝推進具有競争力支柱業務的舉措之一。東芝近日宣布未來将重點圍繞能(néng)源、社會(huì)基礎建設和半導體存儲三大基礎業務推進業務，優化競争力。在能(néng)源領域，以成爲全球頂級企業爲目标，目前，東芝在核電、可(kě)變速抽水蓄能(néng)發(fā／fà)電、高效節能(néng)火力發(fā／fà)電、地熱等領域擁有多項全球第一的技術或市場份額。并計劃在基礎設施領域擴大海外市場，獲取穩定收益，同時在定位爲增長支柱之一的存儲領域加快投資，依據所(suǒ)公布的2016财年(nián)中期計劃，計劃實現2016财年(nián)純利潤400億日元，2018财年(nián)純利潤1000億日元的盈利目标。