東芝推出全球首款^注148層3D堆疊式結構閃存^注2，該閃存容量達到256Gb（32GB），同時采用(yòng)了行(háng / xíng)業領先的三階存儲單元（TLC）技術。這款全新閃存适用(yòng)于(yú)各種産品應用(yòng)，包括消費級固态硬盤(SSD)、智能(néng)手機、平闆電腦和内存卡以及面向數據中心的企業級SSD。據悉，樣品将于(yú)9月開始發(fā／fà)貨。

東芝全球首款全球首款256Gb、48層堆疊閃存BiCS FLASH™

東芝BiCS FLASH™采用(yòng)目前世界最尖端的48層堆疊工藝，超越主流2D NAND閃存的容量，同時提高了可(kě)寫入/擦除次數及可(kě)靠性，并提高了寫入速度。

自(zì)2007年(nián)在全球首次推出了3D堆疊式結構閃存以來^注3，東芝一直緻力于(yú)優化大批量生(shēng)産的研發(fā／fà)。爲更好地滿足快速增長的閃存市場需求，東芝将瞄準大容量、小型化的應用(yòng)領域，積極推動3D堆疊式結構閃存，推出SSD等産品組合。

東芝于(yú)1987年(nián)在世界上最早開發(fā／fà)出NAND閃存，作爲閃存世界的締造者，一直秉承專業的精神，爲消費者提供高速、優質的專業閃存體驗。目前，這一産品在東芝四日市工廠開始生(shēng)産，預計于(yú)2016年(nián)上半年(nián)完工的新工廠也将生(shēng)産該産品。

注1：據東芝調查。

注2：一種在矽基闆上垂直堆疊閃存存儲單元的結構，相比平面NAND閃存（存儲單元位于(yú)矽基闆上），極大地提高了密度。

注3：據2007年(nián)6月12日東芝發(fā／fà)布資料

* BiCS FLASH™是東芝公司的商标。